台積電傳出應輝達要求評估生產3D DRAM之際，輝達客製化高頻寬記憶體NVHBM的底層晶粒，已先傳出統一交由台積電生產。南韓媒體10月18日報導，輝達要求三星、SK海力士與美光，NVHBM的底層邏輯晶粒一律採用台積電3奈米製程。
輝達8月26日發表NVHBM，以第7代高頻寬記憶體HBM4E為架構基礎，把原本放在GPU上的記憶體控制器，移到HBM最底層的基礎晶粒（base die）。輝達表示，與標準HBM4E相比，NVHBM頻寬最多提高30%、HBM耗電最多降低15%，運算晶片可多騰出最多25%面積放運算電路。
三大廠統一規格 三星破例
南韓媒體報導，輝達希望3家供應商統一規格：底層晶粒用台積電3奈米、記憶體晶粒用第6代10奈米級（1c）DRAM，讓不同廠商的產品表現接近，輝達也不必逐家分別驗證。
三星過去的HBM從底層晶粒到記憶體晶粒都自家生產，經內部評估後同意輝達要求，但僅限NVHBM。三星量產中的HBM4與驗證中的HBM4E，仍用自家4奈米製作底層晶粒，供應超微（AMD）等其他客戶的客製化HBM也維持自製；三星並同步測試以自家2奈米生產NVHBM底層晶粒，作為台積電產能不足時的備案。
同一則報導也引述業界估計，台積電3奈米良率超過9成，三星晶圓代工2奈米約6成。
SK海力士估HBM缺貨到2030年
SK海力士10月28日公布第三季財報，營收104.6兆韓元、營業利益83.3兆韓元，營業利益率80%，營收與營業利益都創單季新高。公司表示，HBM4第三季開始大量出貨，第四季出貨量與營收將超越HBM3E；並預期記憶體需求大於供給的情況將延續到2030年，已與14家主要客戶簽訂長約，涵蓋2027、2028年過半產能。
三星10月29日公布第三季營業利益107.4兆韓元，表示HBM4銷售大幅擴大；三星晶圓代工部門也把HBM底層晶粒銷售列為營收改善的動能之一。
HBM底層晶粒 台積電早已供應
SK海力士2024年4月與台積電簽署合作備忘錄，由台積電以先進邏輯製程生產HBM4底層晶粒，並整合台積電CoWoS封裝。台積電也在台南晶圓18廠增設3奈米產線，並規畫在美國亞利桑那州與日本熊本廠導入3奈米。
美國科技媒體The Information 6日報導，台積電正評估生產3D DRAM；與台積電目前替HBM製作的邏輯底層晶粒不同，3D DRAM是記憶體晶粒本身。
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