美國科技媒體The Information於美國時間11月6日報導，台積電近期應最大客戶輝達要求，開始規劃生產垂直堆疊的3D DRAM記憶體，由副總經理徐國晉主導評估，消息來源為兩名直接知情人士。台積電與輝達目前都未回應，報導指出，是否推進取決於台積電最終決定。
AI伺服器帶動記憶體用量，市調機構集邦科技（TrendForce）9月30日預估，第4季一般型DRAM合約價將比第3季上漲10%至15%。
消息傳出後，台積電美國存託憑證（ADR）6日盤中一度大漲約7.7%，最後收在374美元附近、漲約5.9%，前一天才重挫約10%。台股7日、8日週末休市，9日開盤將是台股首度反映這則消息。
徐國晉主導 評估新建或買廠
徐國晉現任台積電整合互連與封裝副總經理，負責3D IC與先進封裝等系統整合技術，畢業於台大物理系、交大科技管理研究所。他曾任台積電美國子公司WaferTech總經理，2015年轉戰美光，後升任美光副總裁暨台灣美光董事長，2021年10月卸任、同年11月回鍋台積電。
報導說，台積電正評估新建專門的記憶體廠，或收購現有廠房改造成記憶體產線，目前沒有公布量產時程、產能目標或投資金額，也未說明生產的3D DRAM會以自有產品或替輝達代工的形式出貨。
美光今年1月與力積電簽署意向書，以18億美元現金收購苗栗銅鑼P5廠區，取得一座30萬平方英尺的12吋晶圓廠無塵室；美光預期2027年下半年起才會有實質DRAM晶圓產出，從簽約到產出約需1年半以上。
三大記憶體廠 都是台積電客戶
台積電若進軍記憶體，將與三星電子、SK海力士及美光正面競爭。台積電2024年4月與SK海力士簽署合作備忘錄，以先進邏輯製程為其HBM4生產底層晶粒。
輝達8月發表客製化記憶體NVHBM，南韓媒體10月報導，輝達要求三星、SK海力士與美光，NVHBM的底層晶粒一律採用台積電3奈米製程。
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